射頻(RF)電路板設(shè)計(jì)雖然在理論上還有很多不確定性，但RF電路板設(shè)計(jì)還是有許多可以遵循的法則。不過(guò)，在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，真正實(shí)用的技巧是當(dāng)這些法則因各種限制而無(wú)法實(shí)施時(shí)，如何對(duì)它們進(jìn)行折衷處理，本文將集中探討與RF電路板分區(qū)設(shè)計(jì)有關(guān)的各種問(wèn)題。
 
    1、微過(guò)孔的種類(lèi)

    電路板上不同性質(zhì)的電路必須分隔，但是又要在不產(chǎn)生電磁干擾的最佳情況下連接，這就需要用到微過(guò)孔(microvia)。通常微過(guò)孔直徑為0.05mm至0.20mm，這些過(guò)孔一般分為三類(lèi)，即盲孔(blind via)、埋孔(bury via)和通孔(through via)。盲孔位于印刷線路板的頂層和底層表面，具有一定深度，用于表層線路和下面的內(nèi)層線路的連接，孔的深度通常不超過(guò)一定的比率(孔徑)。埋孔是指位于印刷線路板內(nèi)層的連接孔，它不會(huì)延伸到線路板的表面。上述兩類(lèi)孔都位于線路板的內(nèi)層，層壓前利用通孔成型制程完成，在過(guò)孔形成過(guò)程中可能還會(huì)重疊做好幾個(gè)內(nèi)層。第三種稱(chēng)為通孔，這種孔穿過(guò)整個(gè)線路板，可用于實(shí)現(xiàn)內(nèi)部互連或作為組件的黏著定位孔。
 
    2、采用分區(qū)技巧

    在設(shè)計(jì)RF電路板時(shí)，應(yīng)盡可能把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開(kāi)來(lái)，簡(jiǎn)單的說(shuō)，就是讓高功率RF發(fā)射電路遠(yuǎn)離低噪音接收電路。如果PCB板上有很多空間，那么可以很容易地做到這一點(diǎn)。但通常零組件很多時(shí)，PCB空間就會(huì)變的很小，因此這是很難達(dá)到的?？梢园阉鼈兎旁赑CB板的兩面，或者讓它們交替工作，而不是同時(shí)工作。高功率電路有時(shí)還可包括RF緩沖器(buffer)和壓控振蕩器(VCO)。

    設(shè)計(jì)分區(qū)可以分成實(shí)體分區(qū)(physical partitioning)和電氣分區(qū)(Electrical partitioning)。實(shí)體分區(qū)主要涉及零組件布局、方位和屏蔽等問(wèn)題；電氣分區(qū)可以繼續(xù)分成電源分配、RF走線、敏感電路和信號(hào)、接地等分區(qū)。
 
    3、實(shí)體分區(qū)

    零組件布局是實(shí)現(xiàn)一個(gè)優(yōu)異RF設(shè)計(jì)的關(guān)鍵，最有效的技術(shù)是首先固定位于RF路徑上的零組件，并調(diào)整其方位，使RF路徑的長(zhǎng)度減到最小。并使RF輸入遠(yuǎn)離RF輸出，并盡可能遠(yuǎn)離高功率電路和低噪音電路。

    最有效的電路板堆棧方法是將主接地安排在表層下的第二層，并盡可能將RF線走在表層上。將RF路徑上的過(guò)孔尺寸減到最小不僅可以減少路徑電感，而且還可以減少主接地上的虛焊點(diǎn)，并可減少RF能量泄漏到層疊板內(nèi)其它區(qū)域的機(jī)會(huì)。

    在實(shí)體空間上，像多級(jí)放大器這樣的線性電路通常足以將多個(gè)RF區(qū)之間相互隔離開(kāi)來(lái)，但是雙工器、混頻器和中頻放大器總是有多個(gè)RF/IF信號(hào)相互干擾，因此必須小心地將這一影響減到最小。RF與IF走線應(yīng)盡可能走十字交叉，并盡可能在它們之間隔一塊接地面積。正確的RF路徑對(duì)整塊PCB板的性能而言非常重要，這也就是為什么零組件布局通常在移動(dòng)電話PCB板設(shè)計(jì)中占大部份時(shí)間的原因。

    在移動(dòng)電話PCB板上，通?？梢詫⒌驮胍舴糯笃麟娐贩旁赑CB板的某一面，而高功率放大器放在另一面，并最終藉由雙工器在同一面上將它們連接到RF天線的一端和基頻處理器的另一端。這需要一些技巧來(lái)確保RF能量不會(huì)藉由過(guò)孔，從板的一面?zhèn)鬟f到另一面，常用的技術(shù)是在兩面都使用盲孔?？梢越逵蓪⒚た装才旁赑CB板兩面都不受RF干擾的區(qū)域，來(lái)將過(guò)孔的不利影響減到最小。
 
    4、金屬屏蔽罩

    有時(shí)，不太可能在多個(gè)電路區(qū)塊之間保留足夠的區(qū)隔，在這種情況下就必須考慮采用金屬屏蔽罩將射頻能量屏蔽在RF區(qū)域內(nèi)，但金屬屏蔽罩也有副作用，例如：制造成本和裝配成本都很高。

    外形不規(guī)則的金屬屏蔽罩在制造時(shí)很難保證高精密度，長(zhǎng)方形或正方形金屬屏蔽罩又使零組件布局受到一些限制；金屬屏蔽罩不利于零組件更換和故障移位；由于金屬屏蔽罩必須焊在接地面上，而且必須與零組件保持一個(gè)適當(dāng)?shù)木嚯x，因此需要占用寶貴的PCB板空間。

    盡可能保證金屬屏蔽罩的完整非常重要，所以進(jìn)入金屬屏蔽罩的數(shù)字信號(hào)線應(yīng)該盡可能走內(nèi)層，而且最好將信號(hào)線路層的下一層設(shè)為接地層。RF信號(hào)線可以從金屬屏蔽罩底部的小缺口和接地缺口處的布線層走線出去，不過(guò)缺口處周?chē)M可能被廣大的接地面積包圍，不同信號(hào)層上的接地可藉由多個(gè)過(guò)孔連在起。 盡管有以上的缺點(diǎn)，但是金屬屏蔽罩仍然非常有效，而且常常是隔離關(guān)鍵電路的唯一解決方案。
 
    5、電源去耦電路

    恰當(dāng)而有效的芯片電源去耦(decouple)電路也非常重要。許多整合了線性線路的RF芯片對(duì)電源的噪音非常敏感，通常每個(gè)芯片都需要采用高達(dá)四個(gè)電容和一個(gè)隔離電感來(lái)濾除全部的電源噪音。

    最小電容值通常取決于電容本身的諧振頻率和接腳電感，C4的值就是據(jù)此選擇的。C3和C2的值由于其自身接腳電感的關(guān)系而相對(duì)比較大，從而RF去耦效果要差一些，不過(guò)它們較適合于濾除較低頻率的噪音信號(hào)。RF去耦則是由電感L1完成的，它使RF信號(hào)無(wú)法從電源線耦合到芯片中。因?yàn)樗械淖呔€都是一條潛在的既可接收也可發(fā)射RF信號(hào)的天線，所以，將射頻信號(hào)與關(guān)鍵線路、零組件隔離是必須的。

    這些去耦組件的實(shí)體位置通常也很關(guān)鍵。這幾個(gè)重要組件的布局原則是：C4要盡可能靠近IC接腳并接地，C3必須最靠近C4，C2必須最靠近C3，而且IC接腳與C4的連接走線要盡可能短，這幾個(gè)組件的接地端(尤其是C4)通常應(yīng)當(dāng)藉由板面下第一個(gè)接地層與芯片的接地腳相連。將組件與接地層相連的過(guò)孔應(yīng)該盡可能靠近PCB板上的組件焊盤(pán)，最好是使用打在焊盤(pán)上的盲孔將連接線電感減到最小，電感L1應(yīng)該靠近C1。

    一個(gè)集成電路或放大器常常具有一個(gè)集電極開(kāi)路輸出(open collector)，因此需要一個(gè)上拉電感(pullup inductor)來(lái)提供一個(gè)高阻抗RF負(fù)載和一個(gè)低阻抗直流電源，同樣的原則也適用于對(duì)這一電感的電源端進(jìn)行去耦。有些芯片需要多個(gè)電源才能工作，因此可能需要兩到三套電容和電感來(lái)分別對(duì)它們進(jìn)行去耦處理，如果該芯片周?chē)鷽](méi)有足夠的空間，那么去耦效果可能不佳?！　∮绕湫枰貏e注意的是：電感極少平行靠在一起，因?yàn)檫@將形成一個(gè)空芯變壓器，并相互感應(yīng)產(chǎn)生干擾信號(hào)，因此它們之間的距離至少要相當(dāng)于其中之一的高度，或者成直角排列以使其互感減到最小。